L'esperimento ICE-RAD

• L'esperimento ICE-RAD
  
  
• Strumentazione
  
  
• Il personale coinvolto

La realizzazione dei cristalli, in silicio o in germanio, è affidata rispettivamente alle unità INFN-Ferrara e INFN-Legnaro.

I cristalli in Silicio vengono realizzati tramite tecniche di fotolitografia ed attacchi chimici anisotropi. Partendo da wafers di silicio di dimensione 6'' e spessore 500 um, una linea fotolitografica viene utilizzata per definire le dimensioni laterali del cristallo, successivamante i campioni vengono assottigliati sino allo spessore di pochi micron tramite attacchi chimici anisotropi.
I cristalli di silicio così ottenuti, la cui orientazione cristallografica è tale da eccitare l'effetto di quasi mosaicità, vengono piegati meccanicamente e ed un difrattometro di raggi X ad alta risoluzione è impiegato per lo studio degli stati deformazionali e della qualità cristallina dei cristalli stessi.

Mask aligner Karl Suss MA6	Difrattometro ad alta risoluzione Panalytical X'Per Pro

I cristalli di Germanio vengono realizzati tramite taglio meccanico di wafers di germanio di elavata qualità. I campioni così ottenuti vengono assottigliati tramite attacchi chimici atti rimuovere il danno reticolare indotto dalle operazioni di taglio ed as assottigliare il campione stesso sino ad uno spessore di qualche micron. Anche per i cristalli di germanio un diffratometro di raggi X ad alta risoluzione è impiegato per lo studio degli stati deformazionali e di stress del cristallo stesso.